泡生法晶體生長

       泡生法（Kyropoulos method）的原理與提拉法類似。首先原料熔融，再將一根受冷的籽晶與熔體接觸，如果界

面的溫度低于凝固點，則籽晶開始生長。為了使晶體不斷長大，就需要逐漸降低熔體的溫度，同時旋轉(zhuǎn)晶體，以

改善熔體的溫度分布。也可以緩慢地(或分階段地)上提晶體，以擴大散熱面。晶體在生長過程中或生長結(jié)束時不與

坩堝壁接觸，這就大大減少了晶體的應(yīng)力，不過，當晶體與剩余的熔體脫離時，通常會產(chǎn)生較大的熱沖擊。

       泡生法與提拉法的區(qū)別在于，泡生法是利用溫度控制生長晶體，生長時只拉出晶體頭部，晶體部分依靠溫度變

化來生長，而拉出頸部的同時，調(diào)整加熱電壓以使得熔融的原料達到最合適的生長溫度范圍。

       二十世紀七十年代以后，該法已經(jīng)較少用于生長同成分熔化的化合物，而多用于含某種過量組分的體系，可

以認為目前常用的高溫溶液頂部籽晶法是該方法的改良和發(fā)展。