泡生法晶體生長設(shè)備

    我公司泡生法晶體爐（含工藝）已安裝調(diào)試完成，拉晶試驗取得圓滿成功，現(xiàn)已批量銷售，歡迎廣大新老客戶前來考察選購。

LJ-B72型單晶爐（泡生法晶體爐）主要參數(shù)指標(biāo)

一、簡介

LJ-B72型單晶爐，是用泡生法工藝生長高品質(zhì)藍(lán)寶石單晶材料的設(shè)備。主要包括控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、加熱體、冷卻系統(tǒng)和熱防護(hù)系統(tǒng)等，可在真空或充入惰性氣體，在可控的局部壓力狀態(tài)下運行。

本設(shè)備采用鎢電阻直流加熱電源、電源輸出精度高，采用歐陸微處理器與工業(yè)控制計算機閉環(huán)控制爐溫，使結(jié)晶體按著一定的直徑進(jìn)行控制生長。

本設(shè)備的機械傳動系統(tǒng)采用進(jìn)口交流伺服電機驅(qū)動，可在一定的范圍內(nèi)進(jìn)行無級調(diào)速，運動平穩(wěn)可靠，提拉速度及旋轉(zhuǎn)速度穩(wěn)定度高，長時間運行無爬行，無震動。

控制系統(tǒng)由速度控制、溫度控制、爐內(nèi)壓力控制，晶體生長重量、冷卻水壓力及溫度監(jiān)測等部分組成，其中硬件包括工業(yè)計算機(含液晶觸摸屏)、驅(qū)動器、AD采集卡及變換電路、線性功率電源等。

二、技術(shù)指標(biāo)

 1.電源：                          三相四線制 50Hz 380 ±10%

  2. 直流電阻加熱                    72KW（12V、6000A）

 3.最高加熱溫度                    2100℃ 控溫分辨率0.1℃

 4.冷爐極限真空度：                6.67×10-3Pa

 5.充氣壓力：                      0.08 MPa

 6.最大裝料量：                    35Kg   

 7.主爐室內(nèi)徑：                      ￠720mm

 8.主爐室高度：                     950mm

 9.籽晶桿慢速                       0.10～2.50mm/h

10.籽晶桿快速                      120mm/min(手動+電動)

11.籽晶桿轉(zhuǎn)速                      1～8rpm

12.籽晶桿行程                      350mm