LJ-B(J)60型單晶爐

LJ-B60激光晶體生長爐

主要技術(shù)指標

 1．感應(yīng)加熱電源：            50KW/2.5KHz
 2．最高熔煉溫度：            2100℃
 3．冷爐極限真空度：          6.67x10-3 Pa
 4．充氣壓力：                0.08 MPa
 5．爐膛直徑：                ￠600mm
 6．爐膛高度：                1500(1200)mm
 7．籽晶桿拉速：              0.5～60mm/h
 8．籽晶桿快速：              手動+電動
 9．籽晶桿轉(zhuǎn)速：              1～50rpm（予留）
10．籽晶桿爐內(nèi)引程：          1000(700)mm
11．冷卻水壓：                0.15～0.2MPa
12．主機高度：                3850(3200)mm

 LJ-J60激光晶體生長爐

主要技術(shù)指標：

1.電阻加熱電源                 50KVA 

2.冷爐極限真空度：             6.67x10-3Pa

3.充氣壓力：                  0.08 MPa

4.主爐室內(nèi)徑：                ￠600mm

5.主爐室內(nèi)腔高度：             1000mm

6.籽晶提拉速度（慢速）：       0.1～10mm/h

7.籽晶提拉速度（快速）：       手動

8.籽晶桿轉(zhuǎn)速：                1～120rpm

9.籽晶爐內(nèi)有效行程：           480mm

10.坩堝桿爐內(nèi)行程:            150mm

11.電極支撐中心距:            500mm

12.水壓：                    0.13～0.18Mpa  5T/h