LJ-B(J)50型單晶爐

LJ-B50藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐   

主要技術(shù)指標(biāo)

 1．感應(yīng)加熱電源：              35KW/2.5KHz 

 2．最高熔煉溫度：              2100℃

 3．冷爐極限真空度：            6.67x10-3 Pa 

 4．充氣壓力：                  0.08 MPa

 5．爐膛直徑：                  ￠500mm

 6．爐膛高度：                  1000mm

 7．籽晶桿拉速：                0.5～60mm/h

 8．籽晶桿快速：                手動(dòng)+電動(dòng) 

 9．籽晶桿轉(zhuǎn)速：                1～50rpm（予留）

10．籽晶桿爐內(nèi)引程：            600mm 

11．冷卻水壓：                  0.15～0.2MPa 

12．主機(jī)高度：                  2850mm 

LJ-J50激光晶體生長(zhǎng)爐   

主要技術(shù)指標(biāo)

1．電阻加熱電源：              42KVA

2．冷爐極限真空度：            6.67x10-3 Pa 

3．充氣壓力：                  0.08 MPa

4．主爐室內(nèi)徑：                ￠500mm

5．主爐室高度：                900mm

6．籽晶桿拉速：                0.1～10mm/h

7．籽晶桿快速：                手動(dòng)

8．籽晶桿轉(zhuǎn)速：                1～100rpm

9．籽晶桿爐內(nèi)引程：            400mm

10．坩堝桿爐內(nèi)行程：           100mm(手動(dòng))

11．電極支承中心距：           400mm

12．冷卻水壓：                 0.13～0.18Mpa 5T/h